反激式電源開(kāi)關(guān)過(guò)程分析 

 許多人對(duì)這個(gè)話(huà)題進(jìn)行了分析，但是一些話(huà)有時(shí)會(huì)給人們帶來(lái)更多的疑惑和困惑。參考一些論文和分析，表達(dá)我個(gè)人對(duì)這個(gè)問(wèn)題的分析可能與設(shè)計(jì)的分析有一些錯(cuò)誤，但提出一個(gè)每個(gè)人都能理解的問(wèn)題總比試圖理解一些生澀的詞語(yǔ)要好(在這里要說(shuō)明一點(diǎn)，分析和說(shuō)明可能不正確)。我們分析的主要問(wèn)題是Q1管在關(guān)閉期間的響應(yīng)。至于設(shè)計(jì)電路來(lái)減少這種響應(yīng)的影響，有許多方法。就我個(gè)人而言，我認(rèn)為我將通過(guò)結(jié)合價(jià)值和影響來(lái)做一個(gè)小話(huà)題。在關(guān)斷過(guò)程中，如果不考慮增加一個(gè)電路來(lái)抑制瞬態(tài)過(guò)程，我們看到的波形將不是理想的。如下圖所示，將上次編寫(xiě)的改進(jìn)的電力變壓器模型2帶入其中進(jìn)行分析:Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析:能量存儲(chǔ)在勵(lì)磁電感和漏電感中。同時(shí)，由于二極管的結(jié)電容，次級(jí)電容上有一定的電壓，次級(jí)漏電感中沒(méi)有電流。然后，我們關(guān)閉Mos管，看下圖:讓我們整理一下上面的過(guò)程:

1。在金屬氧化物半導(dǎo)體管關(guān)閉后，初級(jí)電流(勵(lì)磁電感、初級(jí)漏電感和電源的綜合效應(yīng))對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體輸出電容、初級(jí)電容、初級(jí)級(jí)之間的電容、次級(jí)電容、次級(jí)二極管電容和負(fù)載電容進(jìn)行充電，開(kāi)始放電(你可以理解這一點(diǎn)，因?yàn)閴翰詈苄?，電容放電也可以理解為反向充?。Mos晶體管DS的端電壓正在上升(可以認(rèn)為是上述分布參數(shù)之間的諧振，該電路的Q非常小)，此時(shí)的電壓可以認(rèn)為是線(xiàn)性上升。請(qǐng)注意，此時(shí)次級(jí)二極管不導(dǎo)通，因?yàn)镈S的端電壓相對(duì)較小。

2.當(dāng)DS的端電壓上升時(shí)，次級(jí)電壓達(dá)到輸出電壓(這是客觀(guān)的，因?yàn)槲覀円ＷC輸出電壓的穩(wěn)定性)+整流管的電壓之后，如果沒(méi)有次級(jí)漏電感，次級(jí)電路就會(huì)導(dǎo)通，所以DS的端電壓會(huì)繼續(xù)上升。當(dāng)次級(jí)漏電感的影響被克服時(shí)，次級(jí)電流開(kāi)始上升。此時(shí)，由于阻抗路徑較小，從主要角度來(lái)看，激勵(lì)電感的能量將會(huì)降低。

3.此時(shí)的決定性因素是初級(jí)漏電感，如果沒(méi)有小阻抗路徑，初級(jí)漏電感就無(wú)法耦合到次級(jí)。因此，初級(jí)漏電感與Mos管的輸出電容和初級(jí)電容諧振，電壓形成多次振蕩(如果沒(méi)有吸收和箝位電路，這一過(guò)程將持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間)。初級(jí)漏電流是初級(jí)電流的一部分，因此初級(jí)漏電流的減少伴隨著次級(jí)電流的增加。如果沒(méi)有箝位電路，電流的下降會(huì)非?？臁Ｈ绻黾芋槲浑娐?，過(guò)程將延長(zhǎng)，電壓應(yīng)力將降低。似乎空間相對(duì)較大。我計(jì)劃將計(jì)算和模擬驗(yàn)證放在另一篇博文中。今天和周日我會(huì)好好休息半天，晚上看球。我的兒媳有一個(gè)政治任務(wù)，那就是游戲計(jì)算。數(shù)數(shù)是相當(dāng)多的事情。